يفتقر محتوى هذه المقالة إلى الاستشهاد بمصادر. فضلاً، ساهم في تطوير هذه المقالة من خلال إضافة مصادر موثوق بها. أي معلومات غير موثقة يمكن التشكيك بها وإزالتها. (يناير 2022)

تصنيع عناصر أشباه الموصلات
مقاييس الموسفت (قائمة المقاييس [الإنجليزية]‏) 10 ميكرومتر – 1971 6 ميكرومتر [الإنجليزية] - 1974 3 ميكرومتر – 1977 1.5 ميكرومتر – 1981 1 ميكرومتر – 1984 800 نانومتر – 1987 600 نانومتر – 1990 350 نانومتر – 1993 250 نانومتر – 1996 180 نانومتر [الإنجليزية] - 1999 130 نانومتر [الإنجليزية] - 2001 90 نانومتر [الإنجليزية] - 2003 65 نانومتر [الإنجليزية] - 2005 45 نانومتر [الإنجليزية] - 2007 32 نانومتر [الإنجليزية] - 2009 22 نانومتر [الإنجليزية] - 2012 14 نانومتر [الإنجليزية] - 2014 10 نانومتر [الإنجليزية] - 2016 7 نانومتر [الإنجليزية] - 2018 مستقبلية 5 نانومتر - 2020 3 نانومتر [الإنجليزية] - ~2021
عدد الترانزستورات [الإنجليزية]‏ سيموس العناصر (متعدد البوابات) قانون مور أشباه الموصلات إلكترونيات نانوية
بوابة إلكترونيات

تصنيع أجهزة أشباه الموصلات (بالإنجليزية: Semiconductor device fabrication)‏ أو تسمى تصنيع أشباه الموصلات هي العملية المستخدمة لإنشاء الدارات المتكاملة (رقائق السيليكون) التي تكون موجودة في الأجهزة الكهربائية والإلكترونية المستخدمة في الحياة اليومية. وهي سلسلة متعددة الخطوات من التصوير والمعالجة الكيميائية خلال الخطوات التي يتم إنشاؤها تدريجيا للدوائر الإلكترونية على رقاقة (ويفر) مصنوعة من مواد شبه موصلة نقية. والسيليكون هو من مواد أشباه الموصلات الأكثر شيوعا اليوم، جنبا إلى جنب مع أشباه موصلات المجمع المختلفة.

عملية التصنيع بكاملها ومن البداية إلى رقائق مغلفة جاهزة للشحن، تأخذ حوالي 6-8 أسابيع، ويتم تنفيذها في مراكز متخصصة للغاية ويشار إليها فابس اختصار ل(بالإنجليزية: fabs)‏ وهي اختصار ل(بالإنجليزية: Semiconductor fabrication plant)‏.

• عملية 1 ميكرومتر
• غرفة نظيفة
• عملية سطحية
• وصلة غير متجانسة

هذه بذرة مقالة عن الإلكترونيات أو العاملين في هذا المجال بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها.