| فرانك إف. فانغ | |
|---|---|
| معلومات شخصية | |
| الميلاد | 11 سبتمبر 1930 (95 سنة)[1] بكين |
| مواطنة |  الولايات المتحدة |
| الحياة العملية | |
| المدرسة الأم | جامعة تايوان الوطنية |
| المهنة | فيزيائي |
| موظف في | مركز أبحاث توماس جون واتسون |
| الجوائز | |
| جائزة أوليفر ألسويرث باكلي للمواد المكثفة (1988)[2] نيشان جون برايس ويذريل (1981)[3] زمالة معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات زمالة الجمعية الأمريكية الفيزيائية |
|
تعديل مصدري - تعديل  | |
فرانك إف. فانغ (بالإنجليزية: Frank Fang) هو فيزيائي أمريكي، ولد في 11 سبتمبر 1930 في بكين في الصين.[4][5][6]
مراجع
- ^ https://history.aip.org/phn/11508019.html.
{{استشهاد ويب}}:|url=بحاجة لعنوان (مساعدة) والوسيط|title=غير موجود أو فارغ (من ويكي بيانات) (مساعدة) - ^ https://www.aps.org/programs/honors/prizes/buckley.cfm.
{{استشهاد ويب}}:|url=بحاجة لعنوان (مساعدة) والوسيط|title=غير موجود أو فارغ (من ويكي بيانات) (مساعدة) - ^ https://fi.edu/en/awards/laureates/frank-f-fang.
{{استشهاد ويب}}:|url=بحاجة لعنوان (مساعدة) والوسيط|title=غير موجود أو فارغ (من ويكي بيانات) (مساعدة) - ^ "Frank F. Fang. Biography". Physics History Network. AIP. مؤرشف من الأصل في 2019-09-21.
- ^ Fowler, AB؛ Fang, FF؛ Howard, WE؛ Stiles PJ (16 مايو 1966). "Magneto-Oscillatory Conductance in Silicon Surfaces". Physical Review Letters. ج. 16 ع. 20: 901–903. DOI:10.1103/PhysRevLett.16.901.
- ^ IEEE Fellows Directory (Citation: For discovery and understanding of the two-dimensional properties of silicon inversion layers and for contributions to semiconductor device physics research.) "نسخة مؤرشفة". مؤرشف من الأصل في 2016-12-02. اطلع عليه بتاريخ 2019-11-09.
{{استشهاد ويب}}: صيانة الاستشهاد: BOT: original URL status unknown (link)
